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参数资料
| 型号： | NTLJS4159NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 35 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1045pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS4159N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
100 D = 0.5
0.2
0.1
10
0.05
0.02
0.01
P (pk)
See Note 2 on Page 1
D CURVES APPLY FOR POWER
1
t 1
t 2
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T A = P (pk) R q JA (t)
0.1
SINGLE PULSE
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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