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参数资料
| 型号： | NTMD4184PFR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 95 毫欧 @ 3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 360pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMD4184PF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Maximum Instantaneous
V F
I F = 1.0 A
T J = 25 ° C
0.43
0.50
V
Forward Voltage
I F = 2.0 A
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.35
0.5
0.45
0.39
0.58
0.53
Maximum Instantaneous
I R
V R = 10 V
T J = 25 ° C
0.001
0.02
mA
Reverse Current
V R = 20 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1.2
0.004
2.0
14
0.05
18
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
8
5.0 V
10 V
V GS = 4.5 V
T J = 25 ° C
4.2 V
4.0 V
10
8
V DS ≥ 10 V
3.8 V
6
4
3.6 V
3.4 V
3.2 V
6
4
2
0
3.0 V
2.8 V
2.6 V
2
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0
2
4
6
8
10
0
1
2
3
4
5
6
0.30
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.25
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.25
0.20
ID = 3 A
T J = 25 ° C
0.20
0.15
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.15
0.10
0.10
V GS = 10 V
0.05
0.05
2
4
6
8
10
2
3
4
5
6
7
8
9
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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