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参数资料
| 型号： | NTMD5836NLR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A，5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD5836NLR2GOSDKR |
NTMD5836NL
Power MOSFET
40 V, Dual N ? Channel, SOIC ? 8
Features
? Asymmetrical N Channels
? Low R DS(on)
? Low Capacitance
? Optimized Gate Charge
? These Devices are Pb ? Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
http://onsemi.com
N ? Channel 1 N ? Channel 2
D1 D2
Channel 1
V (BR)DSS
40 V
R DS(on) Max
12 m W @ 10 V
I D Max
(Notes 1 and 2)
11 A
G1
S1
G2
S2
16 m W @ 4.5 V
Channel 2
40 V
20 m W @ 10 V
36.5 m W @ 4.5 V
6.5 A
MARKING DIAGRAM *
AND PIN ASSIGNMENT
1. Surface ? mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in
sq [2 oz] including traces)
2. Only selected channel is been powered
1W applied on channel 1: T J = 1 W * 85 ° C/W + 25 ° C = 110 ° C
8
1
SOIC ? 8
CASE 751
8
D1 D1 D2 D2
5836NL
AYWW G
G
1
S1 G1 S2 G2
A
Y
WW
G
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb ? Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
NTMD5836NLR2G
Package
SOIC ? 8
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 /
Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications
Brochure, BRD8011/D
? Semiconductor Components Industries, LLC, 2012
February, 2012 ? Rev. 1
1
Publication Order Number:
NTMD5836NL/D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMD5838NLR2G | MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC |
| NTMD6N02R2 | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| NTMD6N03R2 | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
| NTMD6P02R2G | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC |
| NTMFD4901NFT1G | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD5838NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Optimized Gate Charge |
| NTMD5838NLR2G | 功能描述:MOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6601NR2G | 功能描述:MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N02R2 | 功能描述:MOSFET 20V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps， 20 Volts |
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