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参数资料
| 型号： | NTMD5836NLR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A，5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD5836NLR2GOSDKR |
NTMD5836NL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Ch
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown
Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown
Voltage Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS
/ T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
Ch 1
Ch 2
Ch 1
Ch 2
40
146
25
V
mV/
° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 40 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
Ch 1
Ch 2
Ch 1
Ch 2
1.0
100
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = $ 20 V
Ch 1
Ch 2
$ 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 9)
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
VGS = VDS, I D = 250 m A
Ch 1
Ch 2
1.0
1.0
1.8
1.8
3.0
3.0
V
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH) /
T J
Ch 1
Ch 2
6.0
6.0
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 10 A
Ch 1
9.5
12
m W
V GS = 10 V, I D = 7 A
Ch 2
16.2
20
V GS = 4.5 V, I D = 10 A
V GS = 4.5 V, I D = 7 A
Ch 1
Ch 2
13
25.0
16
36.5
m W
Forward Transconductance
g FS
V DS = 15 V, I D = 10 A
Ch 1
10.5
S
CHARGES, CAPACITANCES & GATE RESISTANCE
V DS = 15 V, I D = 7 A
Ch 2
6.0
Input Capacitance
C ISS
Ch 1
2120
pF
Ch 2
730
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
V GS = 0 V, f = 1 MHz, V DS =
20 V
Ch 1
Ch 2
Ch 1
315
123
225
9. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%
10. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
http://onsemi.com
3
Ch 2
84
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PDF描述 |
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参数描述 |
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