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参数资料
| 型号： | NTMFD4901NFT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFD4901NF
Dual N-Channel Power
MOSFET with Integrated
Schottky
30 V, High Side 18 A / Low Side 30 A, Dual
N?Channel SO8FL
http://onsemi.com
V (BR)DSS
R DS(ON) MAX
I D MAX
Features
? Co?Packaged Power Stage Solution to Minimize Board Space
? Low Side MOSFET with Integrated Schottky
? Minimized Parasitic Inductances
? Optimized Devices to Reduce Power Losses
? These Devices are Pb?Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
Q1 Top FET
30 V
Q2 Bottom
FET
30 V
6.5 m W @ 10 V
10 m W @ 4.5 V
2.35 m W @ 10 V
3.5 m W @ 4.5 V
D1 (2, 3, 4, 9)
18 A
30 A
Applications
? DC?DC Converters
? System Voltage Rails
? Point of Load
(1) G1
S1/D2 (10)
(8) G2
S2 (5, 6, 7)
PIN CONNECTIONS
D1 4
5 S2
D1 3
D1 2
G1 1
9
D1
10
S1/D2
6 S2
7 S2
8 G2
(Bottom View)
MARKING
DIAGRAM
1
1
DFN8
CASE 506BX
4901NF
AYWZZ
4901NF
A
Y
W
ZZ
= Specific Device Code
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Lot Traceability
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 5 of this data sheet.
? Semiconductor Components Industries, LLC, 2014
April, 2014 ? Rev. 5
1
Publication Order Number:
NTMFD4901NF/D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTMFD4902NFT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFD4902NFT3G | 功能描述:MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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