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参数资料
| 型号： | NTMFD4901NFT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFD4901NF
TYPICAL CHARACTERISTICS ? Q1
1600
1400
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
11
10
9
QT
1200
1000
8
7
800
600
C oss
6
5
4
Qgs
Qgd
400
3
200
0
C rss
2
1
0
I D = 10 A
T J = 25 ° C
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1000
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
10
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 10 V
V DD = 15 V
I D = 10 A
9
8
V GS = 0 V
100
10
t d(off)
t r
t d(on)
7
6
5
4
3
1
t f
2
1
0
T J = 25 ° C
1
10
100
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
100
10
0 V ≤ V GS ≤ 20 V
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
1
0.1
0.01
0.01
SINGLE PULSE
T A = 25 ° C
Single Pulse
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
0.1 1 10
10 ms
dc
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
7
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