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参数资料
| 型号： | NTMFD4901NFT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFD4901NF
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS
Parameter
Junction?to?Ambient – Steady State (Note 3)
FET
Q1
Symbol
R q JA
Value
65.9
Unit
Q2
60.5
Junction?to?Ambient – Steady State (Note 4)
Junction?to?Ambient – (t ≤ 10 s) (Note 3)
Q1
Q2
Q1
R q JA
R q JA
113.2
104
36.2
° C/W
Q2
3. Surface?mounted on FR4 board using 1 sq?in pad, 2 oz Cu.
4. Surface?mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size of 100 mm 2 .
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
36.2
Parameter
FET
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Break-
down Voltage
Drain?to?Source Break-
down Voltage Temperature
Coefficient
Q1
Q2
Q1
Q2
V (BR)DSS
V (BR)DSS
/ T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
V GS = 0 V, I D = 1 mA
30
30
18
15
V
mV /
° C
Zero Gate Voltage Drain
Current
Q1
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 24 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1
10
m A
Q2
V GS = 0 V,
T J = 25 ° C
500
V DS = 24 V
Gate?to?Source Leakage
Q1
I GSS
V GS = 0 V, VDS = ± 20 V
± 100
nA
Current
Q2
± 100
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
Q1
V GS(TH)
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.2
2.2
V
Q2
1.2
2.2
Negative Threshold Temper-
ature Coefficient
Q1
Q2
V GS(TH) /
T J
4.5
4.0
mV /
° C
Drain?to?Source On Resist-
ance
Q1
Q2
R DS(on)
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
I D = 10 A
I D = 10 A
I D = 20 A
5.2
8.0
1.9
6.5
10
2.35
m W
V GS = 4.5 V
I D = 20 A
2.8
3.5
Forward Transconductance
Q1
g FS
V DS = 1.5 V, I D = 10 A
28
S
Q2
5. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
3
45
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