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参数资料
| 型号： | NTMFD4901NFT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.5 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1150pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFD4901NF
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
FET
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN?SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Voltage
Q1
Q2
V SD
V GS = 0 V,
I S = 3 A
V GS = 0 V,
I S = 2 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.75
0.62
0.45
0.37
1.0
0.70
V
Q1
23
Reverse Recovery Time
Q2
Q1
t RR
40
12
Charge Time
Discharge Time
Q2
Q1
Q2
ta
tb
V GS = 0 V, d IS /d t = 100 A/ m s, I S = 3 A
21
11
19
ns
Q1
12
Reverse Recovery Charge
Q2
Q RR
40
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Q1
0.38
Source Inductance
Q2
L S
0.65
nH
Q1
0.054
Drain Inductance
Gate Inductance
Gate Resistance
Q2
Q1
Q2
Q1
Q2
L D
L G
R G
T A = 25 ° C
0.007
1.5
1.5
0.8
0.8
nH
nH
W
5. Pulse Test: pulse width ≤ 300 m s, duty cycle ≤ 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
ORDERING INFORMATION
Device
NTMFD4901NFT1G
Package
DFN8
Shipping ?
1500 / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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