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参数资料
| 型号： | NTMD5836NLR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A，5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD5836NLR2GOSDKR |
NTMD5836NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1200
10
1000
800
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
8
6
Q T
600
400
4
Q GS
Q GD
200
0
0
C oss
C rss
10
20
30
40
2
0
0
5
10
V DS = 20 V
I D = 7 A
T J = 25 ° C
15
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation ? Channel 2
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 20 V
I D = 7 A
V GS = 4.5 V
12
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(on)
t r
t d(off)
8
6
4
1
t f
2
0
1
10
100
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance ? Channel 2
20
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
? Channel 2
I D = 21 A
10
1
1 m s
15
10 m s
10
0.1
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
100 m s
1 ms
5
0.001
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area ? Channel 2
http://onsemi.com
8
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMD5838NLR2G | MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC |
| NTMD6N02R2 | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| NTMD6N03R2 | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
| NTMD6P02R2G | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC |
| NTMFD4901NFT1G | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD5838NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Optimized Gate Charge |
| NTMD5838NLR2G | 功能描述:MOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6601NR2G | 功能描述:MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N02R2 | 功能描述:MOSFET 20V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps， 20 Volts |
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