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参数资料
| 型号： | NTMD5836NLR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A，5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD5836NLR2GOSDKR |
NTMD5836NL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Ch
Min
Typ
Max
Unit
CHARGES, CAPACITANCES & GATE RESISTANCE
Total Gate Charge
Q G(TOT)
V GS = 10V, V DS = 20V, I D = 10A
Ch 1
36
50
nC
V GS = 10 V, V DS = 20 V, I D = 7 A
Ch 2
16
Ch 1
Ch 2
15
8.5
23
11
Threshold Gate Charge
Q G(TH)
Ch 1
Ch 2
2.4
1.0
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q GS
Q GD
V GS = 4.5 V, V DS = 20 V, CH1:
I D = 10 A, CH2: I D = 7 A
Ch 1
Ch 2
Ch 1
6.9
2.8
7.2
Ch 2
4.0
Plateau Voltage
V GP
Ch 1
3.2
V
Ch 2
3.3
Gate Resistance
R G
Ch 1
1.2
W
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 10)
Ch 2
2.1
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
Ch 1
16
ns
Ch 2
11.5
Rise Time
t r
Ch 1
22
Turn ? Off Delay Time
t d(OFF)
V GS = 4.5 V, V DD = 20 V, CH1:
I D = 10 A, CH2: I D = 7 A, R G =
2.5 W
Ch 2
Ch 1
14
26
Ch 2
15.5
Fall Time
t f
Ch 1
Ch 2
8.5
3.5
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
CH1: I D =
10 A, CH2: I D
=7A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
Ch 1
Ch 2
Ch 1
Ch 2
0.9
0.85
0.65
0.73
1.2
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
Ch 1
27
ns
Ch 2
17
Charge Time
T a
Ch 1
14
Discharge Time
T b
V GS = 0 V, dISD/dt = 100 A/ m s,
CH1: I D = 10 A, CH2: I D = 7 A
Ch 2
Ch 1
11
13
Ch 2
6.0
Reverse Recovery Charge
Q RR
Ch 1
19
nC
9. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%
10. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
http://onsemi.com
4
Ch 2
9.0
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMD5838NLR2G | MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD5838NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Optimized Gate Charge |
| NTMD5838NLR2G | 功能描述:MOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6601NR2G | 功能描述:MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N02R2 | 功能描述:MOSFET 20V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps， 20 Volts |
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