- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录490 > NTMD5836NLR2G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMD5836NLR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 11A SO-8FL |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9A，5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2120pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD5836NLR2GOSDKR |
NTMD5836NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
70
60
50
10V
6.5 V
8.5 V
5.5 V
3.9 V
T J = 25 ° C
70
60
50
V DS ≥ 20 V
40
4.5 V
40
30
20
10
0
3.5 V
3.1 V
V GS = 2.5 V
30
20
10
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
1
2
3
4
5
2
3
4
5
0.035
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics ?
Channel 1
0.02
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics ? Channel 1
0.03
0.025
0.02
T J = 25 ° C
I D = 10 A
0.015
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.01
0.015
0.01
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.005
2
6
10
14
18
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage ? Channel 1
I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage ? Channel 1
1.6
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
100000
V GS = 0 V
1.4
T J = 150 ° C
1.2
1
10000
T J = 125 ° C
0.8
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1000
10
20
30
40
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature ? Channel 1
http://onsemi.com
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage ? Channel 1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMD5838NLR2G | MOSFET N-CH 40V 8.9A 8SOIC |
| NTMD6N02R2 | MOSFET PWR N-CH DL 3.92A 20V 8SO |
| NTMD6N03R2 | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
| NTMD6P02R2G | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC |
| NTMFD4901NFT1G | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD5838NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 11.6 A, N?Channel, SO?8 Optimized Gate Charge |
| NTMD5838NLR2G | 功能描述:MOSFET NFETDPAK40V100A3.7M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6601NR2G | 功能描述:MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N02R2 | 功能描述:MOSFET 20V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 6.0 Amps， 20 Volts |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。