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参数资料
| 型号： | NTMD4840NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 30V 4.5A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 29/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 6.9A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 520pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 680mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD4840NR2GOSDKR |
NTMD4840N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
12
10
8
10V
4.5 V
4.2 V
4V
3.8 V
T J = 25 ° C
3.4 V
32
28
24
20
V DS ≥ 10 V
6
16
4
2
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
3.2 V
3.0 V
2.8 V
2.6 V
5.0
12
8
4
0
1.5
2
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
2.5 3
T J = ? 55 ° C
3.5
4
4.5
0.060
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.030
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.055
0.050
0.045
0.040
0.035
T J = 25 ° C
I D = 6.9 A
0.028
0.026
0.024
0.022
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.030
0.020
0.025
0.020
0.018
0.016
V GS = 10 V
0.015
3
4
5
6
7
8
9
10
0.014
2
3.5
5
6.5
8
9.5
11
12.5
14
1.65
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.55
1.45
1.35
1.25
1.15
I D = 7.5 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.05
0.95
0.85
0.75
1000
T J = 125 ° C
0.65
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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PDF描述 |
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