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参数资料
| 型号： | NTMD6N03R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMD6N03R2OS |
NTMD6N03R2, NVMD6N03R2
TYPICAL MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
12
10
10 V
6V
4V
3.4 V
3.6 V
3.8 V
T J = 25 ? C
3.2 V
12
10
V DS ? 10 V
8
8
6
4
2
3V
2.8 V
6
4
2
T J = 25 ? C
T J = 125 ? C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
V GS = 2.6 V
1.6 1.8
2
0
0
1
2
T J = --55 ? C
3
4
5
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On--Region Characteristics
V GS , GATE--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.05
0.045
0.04
0.035
0.03
0.025
V GS = 10
T = 125 ? C
T = 25 ? C
0.05
0.045
0.04
0.035
0.03
0.025
T J = 25 ? C
V GS = 4.5 V
0.02
0.015
T = --55 ? C
0.02
0.015
V GS = 10 V
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0.01
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11 12
1.8
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On--Resistance versus Drain Current
and Temperature
10,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On--Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.6
1.4
I D = 3 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ? C
1.2
T J = 125 ? C
1
0.8
100
0.6
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ? C)
Figure 5. On--Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN--TO--SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain--to--Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMD6P02R2G | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC |
| NTMFD4901NFT1G | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
| NTMFS4108NT1G | MOSFET N-CHAN 22A 30V SO-8FL |
| NTMFS4119NT1G | MOSFET N-CHAN 18A 30V SO-8FL |
| NTMFS4120NT1G | MOSFET N-CHAN 18A 30V SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD6N03R2G | 功能描述:MOSFET NFET 30V SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6N04R2 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8 |
| NTMD6N04R2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 40V 5.8A 0.027R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMD6P02 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 6 A, 20 V, Pa??Channel SOICa??8, Dual |
| NTMD6P02R2 | 功能描述:MOSFET 20V 6A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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