参数资料
型号: NTMD6N03R2
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
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描述: MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC
产品变化通告: Wire Change 20/Aug/2008
Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装: 2,500
FET 型: 2 个 N 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 950pF @ 24V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NTMD6N03R2OS
NTMD6N03R2, NVMD6N03R2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
CHIP
JUNCTION
0.0106 Ω 0.0431 Ω 0.1643 Ω 0.3507 Ω 0.4302 Ω
0.0253 F 0.1406 F 0.5064 F 2.9468 F 177.14 F
AMBIENT
SINGLE PULSE
0.001
1.0E--05
1.0E--04
1.0E--03
1.0E--02
1.0E--01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
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7
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PDF描述
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参数描述
NTMD6N03R2G 功能描述:MOSFET NFET 30V SPCL TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMD6N04R2 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 5.8 A, Dual N-Channel SOIC-8
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NTMD6P02 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 6 A, 20 V, Pa??Channel SOICa??8, Dual
NTMD6P02R2 功能描述:MOSFET 20V 6A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube