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参数资料
| 型号： | NTMD6P02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD6P02R2GOSDKR |
NTMD6P02, NVMD6P02
5000
4500
4000
3500
3000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
3
Q1
V DS
Q2
QT
V GS
20
16
12
2500
C rss
2000
2
8
1500
1000
500
C rss
C iss
C oss
1
I D = ? 6.2 A
V DS = ? 16 V
V GS = ? 4.5 V
T J = 25 ° C
4
0
10
5.0
0
5.0
10
15
20
0
0
5.0
10
15
20
25
0
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source
and Drain ? To ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DD = ? 16 V
I D = ? 1.0 A
V GS = ? 10 V
t d(off)
t f
V DD = ? 16 V
I D = ? 6.2 A
V GS = ? 4.5 V
100
t r
100
t f
t r
t d(off)
t d(on)
t d(on)
10
1
10
100
10
1
10
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
DRAIN ? TO ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
V GS = 2.5 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
1.0 ms
10
3
10 ms
2
1
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
dc
100
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage versus Current
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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