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参数资料
| 型号： | NTMD6P02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 33 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1700pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 750mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMD6P02R2GOSDKR |
NTMD6P02, NVMD6P02
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 13. Diode Reverse Recovery Waveform
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
Normalized to q ja at 10s.
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
Chip
0.0175 W
0.0154 F
0.0710 W
0.0854 F
0.2706 W
0.3074 F
0.5776 W
1.7891 F
0.7086 W
107.55 F
Ambient
0.001
1.0E ? 05
1.0E ? 04
1.0E ? 03
1.0E ? 02
1.0E ? 01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 14. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFD4901NFT1G | MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMD6P02R2SG | 功能描述:MOSFET PFET20V 6A .033R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NT-MF161 | 制造商:OMRON 制造商全称:Omron Electronics LLC 功能描述:Programmable Terminals |
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| NT-MF261 | 功能描述:NT31/631 2-BANK MEMORY MOD RoHS:是 类别:工业控制，仪表 >> 配件 系列:* 标准包装:1 系列:Aero-Motive® 130117 附件类型:拖车带 适用于相关产品:标准盒式跟踪系统 其它名称:WM6183 |
| NTMFD4901NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky |
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