- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录491 > NTMFS4854NST1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4854NST1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | SENSEFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4830pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | SO-8FL |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4854NS
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
11
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 11.5 V, V DS = 15 V,
I D = 15 A, R G = 3.0 W
32
54
34
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.80
0.65
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
36
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
17
19
33
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.65
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
Gate Resistance
L D
L G
R G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
1.4
nH
nH
W
CURRENT SENSE CHARACTERISTICS
Current Sensing Ratio
Current Sensing Ratio
I ratio
I ratio
V GS = 5 V, 0-70 ° C, 5-20 A
V GS = 5 V, 0-70 ° C, 1 ? 5 A
374
362
399
399
424
436
Current Sense Temperature Coefficient
(Note 7)
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
7. With 0V potential from sense lead to source lead, i.e. using a virtual ground.
http://onsemi.com
3
0.006
%/ ° C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4897NFT1G | MOSFET N-CH 30V SO-8FL |
| NTMFS4899NFT3G | MOSFET N-CH 30V 10.4A SO-8FL |
| NTMFS4921NT1G | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL |
| NTMFS4922NET1G | MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL |
| NTMFS4923NET3G | MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4854NST3G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4897NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4897NFT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4897NFT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4898NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N−Channel, SO−8FL |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。