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参数资料
型号： NTMFS4854NST1G
厂商： ON Semiconductor
文件页数： 6/7页
文件大小： 0K
描述： MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL
标准包装： 1,500
系列： SENSEFET®
FET 型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点： 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)： 25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： 15.2A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： 2.5 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）： 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs： 85nC @ 11.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds： 4830pF @ 12V
功率 - 最大： 900mW
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerTDFN
供应商设备封装： SO-8FL
包装： 带卷 (TR)
NTMFS4854NS
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
50% (DUTY CYCLE)
10
1.0
0.1
20%
10%
5.0%
2.0%
1.0%
SINGLE PULSE
R q JA = 54 ° C/W
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
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PDF描述
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参数描述
NTMFS4854NST3G 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4897NF 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL
NTMFS4897NFT1G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4897NFT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4898NF 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N−Channel, SO−8FL
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