- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录491 > NTMFS4854NST1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4854NST1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | SENSEFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4830pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | SO-8FL |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4854NS
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
6000
5000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
10
Q T
20
15
4000
3000
8
6
V DS
V GS
10
2000
C oss
4
Q gs
Q gd
1000
0
0
C rss
5
10
15
20
25
2
0
0
10
20
30
40
50
60
I D = 30 A
T J = 25 ° C
70 80
5
0
90
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 7. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
100
V GS = 11.5 V
V DD = 15 V
I D = 15 A
t d(off)
t f
t r
100
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(on)
10
1.0
1
1
10
100
0.1
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 250 m A
V GS = V DS
100
10 m s
1.0
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
1
0.1
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1
10
10 ms
dc
100
0.5
? 50
? 25
0
25
50 75 100 125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
5
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4897NFT1G | MOSFET N-CH 30V SO-8FL |
| NTMFS4899NFT3G | MOSFET N-CH 30V 10.4A SO-8FL |
| NTMFS4921NT1G | MOSFET N-CH 30V 8.8A SO8 FL |
| NTMFS4922NET1G | MOSFET N-CH 30V 147A SO8-FL |
| NTMFS4923NET3G | MOSFET N-CH 30V 91A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4854NST3G | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4897NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4897NFT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4897NFT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4898NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N−Channel, SO−8FL |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。