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参数资料
| 型号： | NTMFS4854NST1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 15.2A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| 系列： | SENSEFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 85nC @ 11.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4830pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | SO-8FL |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4854NS
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
200
180
160
140
120
100
80
V GS = 4.0 to 10 V
T J = 25 ° C
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
200
180
160
140
120
100
80
V DS ≥ 10 V
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
3.0 V
2.8 V
2.6 V
4.5
5
60
40
20
0
1
1.5
T J = 125 ° C
2 2.5
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
3 3.5 4
4.5
0.010
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.01
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.009
0.008
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.009
0.008
T J = 25 ° C
0.007
0.006
0.007
0.006
0.005
0.004
0.005
0.004
V GS = 3.2 V
0.003
0.002
I D = 10 A
0.003
0.002
V GS = 4.5 V
0.001
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.001
0
0
10
20
V GS = 10 V
30
40
50
60
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
Each curve is individually normalized to its value at 25 ° C
I D = 30 A
V GS = 10 V
I D = 10 A
V GS = 3.2 V
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTMFS4897NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 171 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
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| NTMFS4897NFT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 191A 2MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4898NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 117 A, Single N−Channel, SO−8FL |
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