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参数资料
| 型号： | NTMS10P02R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3640pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS10P02R2OSCT |
NTMS10P02R2
20
15
10
? 2.3 V
? 10 V
? 3.1 V
? 2.1 V
T J = 25 ° C
? 1.9 V
10
8.0
6.0
4.0
V DS ≥ ? 10 V
25 ° C
5.0
V GS = ? 1.7 V
2.0
100 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.100
I D = ? 10 A
T J = 25 ° C
0.020
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
0.075
0.016
0.050
0.025
0.012
V GS = ? 4.5 V
0
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
0.008
6.0
10
14
18
1.6
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance versus
Gate ? To ? Source Voltage
10,000
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = ? 10 A
V GS = ? 4.5 V
1000
100
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
2.0
6.0
10
14
18
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? To ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| NTMS3P03R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -3.05 Amps, -30 Volts |
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