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参数资料
| 型号： | NTMS10P02R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 11/Feb/2009 |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 10A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3640pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS10P02R2OSCT |
NTMS10P02R2
10,000
8000
C iss
V GS = 0 V
V DS = 0 V
T J = 25 ° C
6000
C rss
4000
C iss
2000
C rss
C oss
0
10
5.0
0 5.0
10
15
20
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5.0
QT
10
4.0
V DS
V GS
8.0
3.0
2.0
Q1
Q2
6.0
4.0
1.0
Q3
I D = ? 10 A
T J = 25 ° C
2.0
0
0
10
20
30
40
50
0
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
1000
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.0 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
V DD = ? 10 V
I D = ? 10 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t r
100
t r
t d(on)
100
t f
t d(on)
10
1.0
10
100
10
1.0
10
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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