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参数资料
| 型号： | NTMS3P03R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMS3P03R2GOS |
NTMS3P03R2
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
6
5
4
V GS = -10 V
V GS = -8 V
V GS = -6 V
V GS = -4.4 V
V GS = -4 V
V GS = -4.6 V
6
5
4
V DS > = -10 V
3
T J = 25 ° C
V GS = -4.8 V
V GS = -3.6 V
3
T J = 100 ° C
V GS = -5 V
2
1
V GS = -2.8 V
V GS = -3.2 V
V GS = -3 V
V GS = -2.6 V
2
1
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
0
1
2
3
4
5
0.35
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
0.12
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.30
0.25
I D = -3.0 A
T J = 25 ° C
0.11
0.1
T J = 25 ° C
V GS = -4.5 V
0.20
0.15
0.09
0.08
0.10
0.05
0.07
0.06
V GS = -10 V
0.00
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.05
1
2
3
4
5
6
7
-V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
1.6
I D = -3.05 A
-I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
1.2
1
0.8
0.6
V GS = -10 V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
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