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参数资料
| 型号： | NTMS3P03R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMS3P03R2GOS |
NTMS3P03R2
100
V GS = 12 V
10
1.0
SINGLE PULSE
T A = 25 ° C
dc
1.0 ms
10 ms
I S
di/dt
t a
t rr
t b
0.1
R DS(on)
THERMAL LIMIT
t p
0.25 I S
TIME
PACKAGE LIMIT
0.01
0.1
1.0
10
100
I S
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
Figure 13. Diode Reverse Recovery Waveform
0.1
0.05
0.02
Chip
Junction 2.32 W
Normalized to R q JA at Steady State (1 ″ pad)
18.5 W 50.9 W 37.1 W 56.8 W
24.4 W
0.01
0.0014 F
0.0073 F
0.022 F
0.105 F
0.484 F
3.68 F
Single Pulse
Ambient
0.01
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 14. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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