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参数资料
| 型号： | NTMS4107NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS4107NR2GOSCT |
NTMS4107N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
28
3.2 V
T J = 25 ° C
28
V DS ≥ 10 V
24
20
16
12
V GS = 4 V to 10 V
3.0 V
24
20
16
12
8
4
0
2.8 V
2.6 V
8
4
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1 2
3
4
5
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
V GS = 10 V
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2
6
10
14
18
22
26
2
6
10
14
18
22
26
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On?Resistance vs. Drain Current and
Temperature
2
I D = 16 A
V GS = 12 V
1.5
1000000
100000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1
0.5
0
10000
1000
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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