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参数资料
| 型号： | NTMS4107NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS4107NR2GOSCT |
NTMS4107N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
8000
7000
T J = 25 ° C
10
6000
C iss
8
5000
4000
3000
6
4
QT
V GS
2000
Q GS
Q GD
1000
0
C rss
C oss
2
0
I D = 16 A
T J = 25 ° C
0 5 10
15 20 25
0
10
20
30
40
50 60 70 80
90
100
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?To?Source and
Drain?To?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(off)
t f
t d(on)
t r
8
6
4
2
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
1000
100
10
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
1
0.1
0.01
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
10 ms
dc
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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