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参数资料
| 型号： | NTMS4107NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 45nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6000pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 930mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS4107NR2GOSCT |
NTMS4107N
PACKAGE DIMENSIONS
SO?8
CASE 751?07
ISSUE AG
?X?
8
A
5
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER
ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
3. DIMENSION A AND B DO NOT INCLUDE
MOLD PROTRUSION.
4. MAXIMUM MOLD PROTRUSION 0.15 (0.006)
?Y?
B
1
4
S
0.25 (0.010)
M
Y
M
K
PER SIDE.
5. DIMENSION D DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. ALLOWABLE DAMBAR
PROTRUSION SHALL BE 0.127 (0.005) TOTAL
IN EXCESS OF THE D DIMENSION AT
MAXIMUM MATERIAL CONDITION.
6. 751?01 THRU 751?06 ARE OBSOLETE. NEW
G
STANDARD IS 751?07.
MILLIMETERS
INCHES
?Z?
C
SEATING
PLANE
N
X 45 _
DIM
A
B
C
D
MIN MAX
4.80 5.00
3.80 4.00
1.35 1.75
0.33 0.51
MIN MAX
0.189 0.197
0.150 0.157
0.053 0.069
0.013 0.020
H
D
0.10 (0.004)
M
J
G
H
J
1.27 BSC
0.10 0.25
0.19 0.25
0.050 BSC
0.004 0.010
0.007 0.010
0.25 (0.010)
M
Z Y
S
X
S
K
M
N
0.40 1.27
0 _ 8 _
0.25 0.50
0.016 0.050
0 _ 8 _
0.010 0.020
S
STYLE 12:
PIN 1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
SOLDERING FOOTPRINT*
1.52
0.060
7.0
4.0
0.275
0.155
0.6
1.270
0.024
0.050
mm
SCALE 6:1
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
5
5.80 6.20
SOURCE
SOURCE
SOURCE
GATE
DRAIN
DRAIN
DRAIN
DRAIN
0.228 0.244
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PDF描述 |
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