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参数资料
| 型号： | NTMS4706NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4706N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
30
25
5V
3.2 V
10 V
3V
T J = 25 ° C
35
30
V DS ≥ 10 V
20
2.8 V
25
20
15
10
5
0
2.6 V
2.4 V
2.2 V
15
10
5
0
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ?55 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
0.03
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
T J = 25 ° C
0.018
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.025
I D = 10 A
0.015
0.02
V GS = 4.5 V
0.012
0.015
V GS = 10 V
0.01
0.005
0.009
0.006
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance vs. Gate?to?Source
Voltage
1.8
10000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
I D = 10.3 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
0.8
0.6
100
10
T J = 100 ° C
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4800NR2G | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS4800N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 8 A, N−Channel, SOIC−8 |
| NTMS4800NR2G | 功能描述:MOSFET 30V 8A 0.020OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4801N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 12 A, N−Channel, SO−8 |
| NTMS4801NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 9.9A 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4802N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 18 A, N−Channel, SO−8 |
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