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参数资料
| 型号： | NTMS4706NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 830mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4706N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
1800
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
20
1500 C iss
4
V DS
16
1200
900
C rss
C iss
3
2
Q GS
Q GD
V GS
12
8
600
C oss
300
0
C rss
1
0
I D = 10 A
T J = 25 ° C
4
0
20
10
0
10
20
30
0
2
4 6
8
10
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
7
Figure 8. Gate?To?Source and
Drain?To?Source Voltage vs. Total Charge
V DD = 10 V
I D = 10.3 A
V GS = 4.5 V
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t r
t f
t d(off)
t d(on)
5
4
3
2
1
1
1
10
100
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
Variation vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTMS4800NR2G | 功能描述:MOSFET 30V 8A 0.020OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4801N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 12 A, N−Channel, SO−8 |
| NTMS4801NR2G | 功能描述:MOSFET NFET SO8 30V 9.9A 12.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4802N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 18 A, N−Channel, SO−8 |
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