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参数资料
| 型号： | NTMS4N01R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMS4N01R2GOS |
NTMS4N01R2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted) (Note 5)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain?to?Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = 12 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 25 ° C)
(V DS = 12 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
(V DS = 20 Vdc, V GS = 0 Vdc, T J = 25 ° C)
V (BR)DSS
I DSS
20
?
?
?
?
?
20
?
?
0.2
?
?
1.0
10
?
Vdc
mV/ ° C
m Adc
Gate?Body Leakage Current
I GSS
nAdc
(V GS = +10 Vdc, V DS = 0 Vdc)
Gate?Body Leakage Current
(V GS = ?10 Vdc, V DS = 0 Vdc)
I GSS
?
?
?
?
100
?100
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Negative)
V GS(th)
0.6
?
0.95
?3.0
1.2
?
Vdc
mV/ ° C
Static Drain?to?Source On?State Resistance
R DS(on)
W
(V GS = 4.5 Vdc, I D = 4.2 Adc)
(V GS = 2.7 Vdc, I D = 2.1 Adc)
(V GS = 2.5 Vdc, I D = 2.0 Adc)
Forward Transconductance
(V DS = 2.5 Vdc, I D = 2.0 Adc)
g FS
?
?
?
?
0.030
0.035
0.037
10
0.04
0.05
?
?
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
870
1200
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = 10 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
260
60
400
100
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 6 & 7)
Turn?On Delay Time
t d(on)
?
13
25
ns
Rise Time
Turn?Off Delay Time
Fall Time
(V DD = 12 Vdc, I D = 4.2 Adc,
V GS = 4.5 Vdc,
R G = 2.3 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
35
45
50
65
75
90
Total Gate Charge
Gate?Source Charge
Gate?Drain Charge
(V DS = 12 Vdc,
V GS = 4.5 Vdc,
I D = 4.2 Adc)
Q tot
Q gs
Q gd
?
?
?
11
2.0
3.0
16
?
?
nC
BODY?DRAIN DIODE RATINGS (Note 6)
Diode Forward On?Voltage
Reverse Recovery Time
(I S = 4.2 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = 4.2 Adc, V GS = 0 Vdc, T J = 125 ° C)
(I S = 4.2 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
?
?
?
?
0.85
0.70
20
12
1.1
?
?
?
Vdc
ns
t b
?
8.0
?
Reverse Recovery Stored Charge
Q RR
?
0.01
?
m C
5. Handling precautions to protect against electrostatic discharge is mandatory.
6. Indicates Pulse Test: Pulse Width = 300 m s max, Duty Cycle = 2%.
7. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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