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参数资料
| 型号： | NTMS4N01R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMS4N01R2GOS |
NTMS4N01R2
2500
2000
C iss
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
1500
1000
C rss
C iss
500
C oss
0
C rss
8
6
4
2
0
2
4
6
8
10
12
V GS
V DS
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
5
QT
20
4
3
V DS
V GS
16
12
2
Q1
Q2
8
1
0
I D = 4.2 A
T J = 25 ° C
4
0
0
2
4
6
8
10
12
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?To?Source and Drain?To?Source
Voltage versus Total Charge
1000
V DD = 10 V
I D = 4.2 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
1000
V DD = 10 V
I D = 2.1 A
V GS = 4.5 V
t f
100
t f
t r
100
t d(off)
t r
10
t d(on)
10
t d(on)
1
10
100
1
10
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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