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参数资料
| 型号： | NTMS4N01R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.3A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 20/Aug/2008 Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.3A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 4.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1200pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 770mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMS4N01R2GOS |
NTMS4N01R2
7
6
8V
2.1 V
4.5 V
1.9 V
8
V DS ≥ 10 V
5
4
3
2
3.1 V
2.7 V
2.5 V
2.3 V
T J = 25 ° C
1.7 V
6
4
100 ° C
1
1.5 V
2
25 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1
V GS = 1.3 V
1.25 1.5 1.75
2
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.08
0.07
0.06
0.05
I D = 4.2 A
T J = 25 ° C
0.05
0.04
0.03
T J = 25 ° C
V GS = 2.5 V
V GS = 2.7 V
V GS = 4.5 V
0.04
0.02
0.03
0.02
0
2
4
6
8
0.01
0
2
4
6
8
10
1.6
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?To?Source Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.4
1.2
I D = 4.2 A
V GS = 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1000
1
0.8
T J = 125 ° C
0.6
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
100
2
4
6
8
10
12
14 16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?To?Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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