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参数资料
| 型号： | NTMS5838NLR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 785pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMS5838NLR2GOSDKR |
NTMS5838NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
50
50
40
10 V
5.5 V
7.5 V
4.4 V
T J = 25 ° C
40
V DS ≥ 5 V
30
4V
30
20
3.6 V
20
T J = 125 ° C
10
3V
10
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
2
3
4
5
0.06
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.035
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.05
0.04
0.03
T J = 25 ° C
I D = 7 A
0.025
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.015
0.02
0.01
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.005
2
6
10
14
18
1.6
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
100000
I D, DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.4
1.2
1
0.8
V GS = 4.5 V
I D = 7 A
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
15
25
35
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2SG | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2 | 功能描述:MOSFET -20V -5.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTMS5P02R2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -20V 5.4A SOIC |
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