- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录492 > NTMS5838NLR2G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMS5838NLR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 25 毫欧 @ 7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 785pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTMS5838NLR2GOSDKR |
NTMS5838NL
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
SINGLE PULSE
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2SG | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC |
| NTMS7N03R2 | MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC |
| NTMSD2P102LR2G | MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC |
| NTMSD3P102R2G | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| NTMSD3P303R2G | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS5P02R2 | 功能描述:MOSFET -20V -5.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS5P02R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET -5.4 Amps， -20 Volts |
| NTMS5P02R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET -5.4 Amps, -20 Volts |
| NTMS5P02R2G | 功能描述:MOSFET -20V -5.4A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS5P02R2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:P CHANNEL MOSFET -20V 5.4A SOIC |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。