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参数资料
| 型号： | NTMSD3P102R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 12/May/2009 Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD3P102R2OS |
NTMSD3P102R2
1E-2
1E-1
1E-3
T J = 125 ° C
1E-2
T J = 125 ° C
85 ° C
1E-4
1E-5
1E-6
1E-7
25 ° C
1E-3
1E-4
1E-5
1E-6
25 ° C
0
5.0
10
15
20
0
5.0
10
15
20
1000
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Typical Reverse Current
1.6
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Maximum Reverse Current
100
TYPICAL CAPACITANCE AT 0 V = 170 pF
1.4
1.2
1.0
0.8
dc
SQUARE WAVE
I pk /I o = p
I pk /I o = 5.0
FREQ = 20 kHz
0.6
I pk /I o = 10
0.4
0.2
I pk /I o = 20
10
0
0
5.0
10
15
20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Typical Capacitance
http://onsemi.com
7
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 19. Current Derating
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS3P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| NTB75N03L09T4 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
| EEM10DRTI-S13 | CONN EDGECARD 20POS .156 EXTEND |
| NTB75N03RT4 | MOSFET N-CH 25V 9.7A D2PAK |
| NTB75N06LT4 | MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMSD3P102R2/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:FETKY? |
| NTMSD3P102R2_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:P-Channel Enhancement-Mode Power MOSFET and Schottky Diode Dual Dual SO-8 Package |
| NTMSD3P102R2G | 功能描述:MOSFET -20V -3.05A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD3P102R2SG | 功能描述:MOSFET FETKY 20V .085R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD3P303 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
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