参数资料
型号: NTMSD6N303R2
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/11页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
产品变化通告: Product Discontinuation 20/Aug/2008
标准包装: 2,500
系列: FETKY™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 32 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 950pF @ 24V
功率 - 最大: 2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商设备封装: 8-SOICN
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NTMSD6N303R2OS
NTMSD6N303, NVMSD6N303
TYPICAL FET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
CHIP
JUNCTION
0.0106 W 0.0431 W 0.1643 W 0.3507 W 0.4302 W
0.0253 F 0.1406 F 0.5064 F 2.9468 F 177.14 F
AMBIENT
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (s)
Figure 13. FET Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
10
10
85 ° C
25 ° C
85 ° C
1.0
0.1
T J = 125 ° C
- 40 ° C
1.0
0.1
T J = 125 ° C
25 ° C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Typical Forward Voltage
http://onsemi.com
6
V F , MAXIMUM INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Maximum Forward Voltage
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PDF描述
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参数描述
NTMSD6N303R2G 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMSD6N303R2SG 功能描述:MOSFET NFET 30V 6A .024R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTN12 制造商:OTAX Corporation 功能描述:
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