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参数资料
| 型号： | NTMSD6N303R2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD6N303R2OS |
NTMSD6N303, NVMSD6N303
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
NORMALIZED TO R q JA AT STEADY STATE (1 ″ PAD)
0.01
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.1010 W
CHIP
JUNCTION 39.422 m F
1.2674 W 27.987 W 30.936 W 36.930 W
493.26 m F 0.0131 F 0.2292 F 2.267 F
AMBIENT
0.001
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
1.0E+00
1.0E+01
1.0E+02
1.0E+03
t, TIME (s)
Figure 22. Schottky Thermal Response
TYPICAL APPLICATIONS
STEP DOWN SWITCHING REGULATORS
L O
+
+
V in
-
C O
V out
-
LOAD
Buck Regulator
L O
+
+
V in
-
C O
V out
-
LOAD
Synchronous Buck Regulator
http://onsemi.com
8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMSD3P102R2 | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
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| NTB75N03L09T4 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303R2G | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD6N303R2SG | 功能描述:MOSFET NFET 30V 6A .024R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTN12 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
| NTN22 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述:Tape & Reel |
| NTN32 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
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