- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录492 > NTR4003NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTR4003NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 21pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 690mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTR4003NT1GOSDKR |
NTR4003N, NVR4003N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Units
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = 100 m A
30
40
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 30 V
T J = 25 ° C
1.0
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 10 V
± 1.0
m A
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold
Temperature Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = 250 m A
0.8
3.4
1.4
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
Forward Transconductance
R DS(on)
g FS
V GS = 4.0 V, I D = 10 mA
V GS = 2.5 V, I D = 10 mA
V DS = 3.0 V, I D = 10 mA
1.0
1.5
0.33
1.5
2.0
W
S
CHARGES AND CAPACITANCES
Input Capacitance
C iss
21
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Gate Charge
Gate ? to ? Drain Charge
C oss
C rss
Q G(TOT)
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz,
V DS = 5.0 V
V GS = 5.0 V, V DS = 24 V,
I D = 0.1 A
19.7
8.1
1.15
0.15
0.32
0.23
pF
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
16.7
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = 4.5 V, V DD = 5.0 V,
I D = 0.1 A, R G = 50 W
47.9
65.1
64.2
ns
SOURCE ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 10 mA
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.65
0.45
0.7
V
Reverse Recovery Time
t RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 8A/ m s,
I S = 10 mA
14
ns
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTR4101PT1G | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23 |
| NTR4170NT3G | MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3 |
| NTR4171PT3G | MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| NTR4501NT1 | MOSFET N-CHAN 3.2A 20V SOT-23 |
| NTR4502PT1G | MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR4003NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V .56A 1500M RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4003NT3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 560mA SOT-23 制造商:ON Semiconductor 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 30V, 560mA SOT-23 |
| NTR4101P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23 |
| NTR4101P_10 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Trench Power MOSFET −20 V, Single P−Channel, SOT−23 |
| NTR4101PT1 | 功能描述:MOSFET -20V -3.2A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。