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参数资料
| 型号： | NTR4003NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 21pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 690mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTR4003NT1GOSDKR |
NTR4003N, NVR4003N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1.6
V GS = 10 V to 5 V
1.6
V DS ≥ 10 V
1.2
4.5 V
1.2
T J = ? 55 ° C
0.8
0.4
4V
3.5 V
0.8
0.4
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0
0
1
2.5 V
2
0
0
1
2
3
4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
10
1
V GS = 10 V
8
6
4
2
I D = 0.2 A
0.8
0.6
0.4
0.2
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
2.4
2.8 3.2 3.6
4
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
1.80
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
1000
1.60
1.40
1.20
1.00
0.80
I D = 0.3 A
V GS = 4.5 V
100
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.60
? 25
? 50
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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