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参数资料
| 型号： | NTR4003NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 500MA SOT-23 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 500mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.15nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 21pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 690mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTR4003NT1GOSDKR |
NTR4003N, NVR4003N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
50
40
30
20
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
C iss
5
4
3
2
T J = 25 ° C
I D = 0.1 A
C oss
10
C rss
1
0
0
4
8
12
16
20
0
0
0.4
0.8
1.2
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source & Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Charge
1
V GS = 0 V
0.1
0.01
0.001
0.4
T J = 150 ° C
0.6
T J = 25 ° C
0.8
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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