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参数资料
| 型号： | NTS4173PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.2A SC70-3 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 150 毫欧 @ 1.2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.1nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 430pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 290mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-70，SOT-323 |
| 供应商设备封装： | SC-70-3（SOT323） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTS4173PT1GOSDKR |
NTS4173P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
10
10 m s
1.0
100 m s
0.1
V GS = ? 12 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1.0
10
dc
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1.0
10
100
1000
t, TIME (SECONDS)
Figure 14. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTS4409NT1G | MOSFET N-CH 25V 700MA SOT-323 |
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| NTTD4401FR2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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