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参数资料
| 型号： | NTTFS5116PLTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH 60V 5.7A 8-WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1258pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTTFS5116PLTAG-ND NTTFS5116PLTAGOSTR |
NTTFS5116PL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /T J
V GS = 0 V, I D = ? 250 m A
? 60
69.7
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = ? 60 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
? 1.0
? 100
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold Temperature
Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = ? 250 m A
? 1
? 6.2
? 3
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = ? 10 V
I D = ? 6 A
37
52
m W
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 4.4 A
51
72
Forward Transconductance
g FS
V DS = ? 15 V, I D = ? 6 A
11
S
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C iss
1258
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
V GS = 0 V, f = 1.0 MHz, V DS = ? 30 V
127
84
Total Gate Charge
Q G(TOT)
V GS = ? 10 V, V DS = ? 48 V, I D = ? 5 A
25
nC
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 48 V, I D = ? 5 A
14
Threshold Gate Charge
Q G(TH)
1
nC
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Q GS
Q GD
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 48 V, I D = ? 5 A
4
7
Plateau Voltage
Gate Resistance
V GP
R G
3.1
5.3
V
W
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
15
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(off)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 48 V,
I D = ? 5 A, R G = 6 W
58
30
37
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = ? 5 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
? 0.79
? 0.64
? 1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
20
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, d IS /d t = ? 100 A/ m s,
I S = ? 5 A
15
5
Reverse Recovery Charge
Q RR
19
nC
2. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTTFS5820NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 V, 37 A, 11.5 m |
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