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参数资料
| 型号： | NTTFS5116PLTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH 60V 5.7A 8-WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1258pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTTFS5116PLTAG-ND NTTFS5116PLTAGOSTR |
NTTFS5116PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
6
4
Q gs
Q gd
Q T
400
200
0
0
C rss
C oss
10 20 30 40 50
60
2
0
0
V DS = ? 48 V
I D = ? 5 A
T J = 25 ° C
5 10 15 20
25
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = ? 48 V
I D = ? 5 A
V GS = ? 4.5 V
t r
t f
30
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
10
t d(on)
10
1
1
10
100
0
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
1.1
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
45
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
1
V GS = ? 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10 ms
dc
100 m s
10 m s
30
15
0.1
Package Limit
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS5811NLTWG | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN |
| NTTFS5820NLTWG | MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN |
| NTTFS5826NLTWG | MOSFET PWR N-CH 60V 20A 8-WDFN |
| NTTS2P02R2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS5116PLTWG | 功能描述:MOSFET PFET U8FL 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5811NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 53 A, 6.4 mΩ |
| NTTFS5811NLTAG | 功能描述:MOSFET Single N-CH 40V 53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5811NLTWG | 功能描述:MOSFET Single N-CH 40V 53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5820NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 V, 37 A, 11.5 m |
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