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参数资料
| 型号： | NTTFS5116PLTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CH 60V 5.7A 8-WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1258pF @ 30V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTTFS5116PLTAG-ND NTTFS5116PLTAGOSTR |
NTTFS5116PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
40
40
30
20
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
V GS = 4 V
30
20
V DS ≥ 10 V
10
V GS = 3.5 V
10
T J = 25 ° C
0
0
V GS = 3 V
1 2 3 4
5
0
2
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
3 4 5
6
0.075
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.080
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.065
0.055
I D = ? 6 A
T J = 25 ° C
0.070
0.060
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.050
0.045
0.040
V GS = 10 V
0.035
2
4 6 8
10
0.030
5
10
15 20 25 30
35
40
2.0
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
10,000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.6
1.4
I D = ? 4.4 A
V GS = 4.5 V
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1.0
0.8
1,000
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS5811NLTWG | MOSFET N-CH 40V 53.6A 8DFN |
| NTTFS5820NLTWG | MOSFET N-CH 60V 37A 8DFN |
| NTTFS5826NLTWG | MOSFET PWR N-CH 60V 20A 8-WDFN |
| NTTS2P02R2 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO |
| NTTS2P03R2 | MOSFET P-CH 30V 2.1A 8MICRO |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS5116PLTWG | 功能描述:MOSFET PFET U8FL 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5811NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 53 A, 6.4 mΩ |
| NTTFS5811NLTAG | 功能描述:MOSFET Single N-CH 40V 53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5811NLTWG | 功能描述:MOSFET Single N-CH 40V 53A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS5820NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 V, 37 A, 11.5 m |
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