- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录493 > NTUD3127CT5G (ON Semiconductor)MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTUD3127CT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Jun/2012 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160mA，140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTUD3127C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
N/P
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS, V GS = 4.5 V (Note 4)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
15
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
Turn ? On Delay Time
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
t d(ON)
t r
t d(OFF)
t f
N
P
V GS = 4.5 V, V DD = 10 V, I D = 200 mA,
R G = 2.0 W
V GS = ? 4.5 V, V DD = ? 15 V,
I D = ? 180 mA, R G = 2.0 W
24
90
60
20
37
112
97
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
N
P
V GS = 0 V, I S = 10 mA
V GS = 0 V, I S = ? 10 mA
T J = 25 ° C
0.60
? 0.65
1.0
? 1.0
V
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
http://onsemi.com
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTUD3128NT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3129PT5G | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3169CZT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| NTUD3170NZT5G | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-963 |
| NTUD3171PZT5G | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTUD3128N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT-963 Package |
| NTUD3128NT5G | 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTUD3129P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET -20 V, -180 mA, Dual P-Channel, 1.0 x 1.0 mm SOT-963 Package |
| NTUD3129PT5G | 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTUD3169CZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。