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参数资料
| 型号： | NTUD3127CT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V SOT-963 |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 14/Jun/2012 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 160mA，140mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 9pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-963 |
| 供应商设备封装： | SOT-963 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTUD3127C
TYPICAL PERFORMANCE CURVES ? N ? CHANNEL
15
1000
12
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
V DD = 10 V
I D = 200 mA
V GS = 4.5 V
9
6
3
C iss
C oss
100
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
0
0 2
4 6 8 10
12
14 16
C rss
18
20
1
1
10
100
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 8. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
0.2
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0.15
0.1
0.05
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTUD3128NT5G | 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTUD3129PT5G | 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTUD3169CZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 220 mA / −200 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package |
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