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参数资料
| 型号： | NTZD3155CT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA，430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTZD3155C
Thermal Resistance Ratings
Parameter
Junction ? to ? Ambient – Steady State (Note 2)
Junction ? to ? Ambient – t = 5 s (Note 2)
Symbol
R q JA
Max
500
447
Unit
° C/W
2. Surface mounted on FR4 board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq [1 oz] including traces).
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
N/P
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
V (BR)DSS
N
V GS = 0 V
I D = 250 m A
20
V
P
I D = ? 250 m A
? 20
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V( BR)DSS /T J
18
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
N
V GS = 0 V, V DS = 16 V
T J = 25 ° C
1.0
m A
P
V GS = 0 V, V DS = ? 16 V
? 1.0
N
P
V GS = 0 V, V DS = 16 V
V GS = 0 V, V DS = ? 16V
T J = 125 ° C
2.0
? 5.0
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
P
V DS = 0 V, V GS = ± 4.5 V
$ 2.0
m A
ON CHARACTERISTICS (Note 3)
N
$ 5.0
Gate Threshold Voltage
V GS(TH)
N
V GS = V DS
I D = 250 m A
0.45
1.0
V
P
I D = ? 250 m A
? 0.45
? 1.0
Gate Threshold
Temperature Coefficient
V GS(TH) /T J
? 1.9
? mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
N
P
N
P
N
P
V GS = 4.5 V, I D = 540 mA
V GS = ? 4.5V, I D = ? 430 mA
V GS = 2.5 V, I D = 500 mA
V GS = ? 2.5V, I D = ? 300 mA
V GS = 1.8 V, I D = 350 mA
V GS = ? 1.8V, I D = ? 150 mA
0.4
0.5
0.5
0.6
0.7
1.0
0.55
0.9
0.7
1.2
0.9
2.0
W
Forward Transconductance
g FS
N
P
V DS = 10 V, I D = 540 mA
V DS = ? 10 V, I D = ? 430 mA
1.0
1.0
S
CHARGES, CAPACITANCES AND GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C ISS
80
150
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C OSS
C RSS
C ISS
C OSS
C RSS
N
P
f = 1 MHz, V GS = 0 V
V DS = 16 V
f = 1 MHz, V GS = 0 V
V DS = ? 16 V
13
10
105
15
10
25
20
175
30
20
pF
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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| NTZD3156C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET |
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| NTZD3156CT2G | 功能描述:MOSFET COMP SOT563 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTZD3156CT5G | 功能描述:MOSFET COMP SOT563 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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