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参数资料
| 型号： | NTZD3155CT2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 540mA，430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 550 毫欧 @ 540mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 150pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTZD3155C
N ? CHANNEL TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
200
T J = 25 ° C
5
Q T
20
150
4
V DS
V GS
16
3
12
100
V GS = 0 V
C ISS
2
8
50
V DS = 0 V
C OSS
1
Q GS
Q GD
I D = 0.54 A
T J = 25 ° C
4
0
0
5
10
15
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
1.6
V DS
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 0.2 A
V GS = 4.5 V
t d(OFF)
0.6
0.5
0.4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t r
t f
t d(ON)
0.3
0.2
0.1
1
1
10
100
0
0.2
0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
5
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTZD3156CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 |
| NTZD5110NT5G | MOSFET N-CH DUAL 60V SOT563 |
| NTZS3151PT5G | MOSFET P-CH 20V 860MA SOT-563 |
| NV06P00472J-- | THERMISTOR NTC DISK 4.7KOHM 5% |
| NVB25P06T4G | MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTZD3155CT5G | 功能描述:MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTZD3156C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET |
| NTZD3156CT1G | 功能描述:MOSFET 20/6V Comp w/100K G-S Resistors RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTZD3156CT2G | 功能描述:MOSFET COMP SOT563 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTZD3156CT5G | 功能描述:MOSFET COMP SOT563 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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