参数资料
| 型号： | NUP1301,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 1/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIODE ARRAY ESD SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 80V |
| 电压 - 击穿： | 100V |
| 功率（瓦特）： | 220W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6351-6 |
NUP1301
Ultra low capacitance ESD protection array
Rev. 01 — 11 May 2009
Product data sheet
1. Product pro?le
1.1 General description
Ultra low capacitance ElectroStatic Discharge (ESD) protection array in a small
SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package designed to
protect one signal line in rail-to-rail con?guration from the damage caused by ESD
and other transients.
1.2 Features
I
I
I
I
I
I
I
ESD protection of one signal line (rail-to-rail con?guration)
Ultra low diode capacitance: C d = 0.6 pF
Very low reverse leakage current: ≤ 30 nA
ESD protection up to 30 kV
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
IEC 61000-4-5 (surge); I PP = 11 A at t p = 8/20 μ s
AEC-Q101 quali?ed
1.3 Applications
I
I
I
I
I
I
I
Telecommunication networks
Video line protection
Microcontroller protection
I 2 C-bus protection
Antenna power supply
Analog audio
Class-D ampli?er
1.4 Quick reference data
Table 1. Quick reference data
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Per diode
V RRM
repetitive peak reverse
-
-
80
V
voltage
C d
diode capacitance
f = 1 MHz;
-
0.6
0.75
pF
V R = 0 V
I R
reverse current
V R = 80 V
-
-
100
nA
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