参数资料
| 型号： | NUP1301,215 |
| 厂商： | NXP Semiconductors |
| 文件页数： | 3/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC DIODE ARRAY ESD SOT23-3 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 80V |
| 电压 - 击穿： | 100V |
| 功率（瓦特）： | 220W |
| 电极标记： | 2 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | 568-6351-6 |
NXP Semiconductors
NUP1301
Ultra low capacitance ESD protection array
Table 5. Limiting values …continued
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
I FSM
Parameter
non-repetitive peak
forward current
Conditions
square wave
t p = 1 μ s
t p = 1 ms
t p = 1 s
Min
-
-
-
Max
4
1
0.5
Unit
A
A
A
Per device
P PP
I PP
P tot
T j
T amb
T stg
peak pulse power
peak pulse current
total power dissipation
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
t p = 8/20 μ s
t p = 8/20 μ s
T amb ≤ 25 ° C
[3][4]
[3][4]
[5][6]
-
-
-
-
? 55
? 65
220
11
250
150
+150
+150
W
A
mW
° C
° C
° C
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
Pulse test: t p ≤ 300 μ s; δ ≤ 0.02.
T j = 25 ° C prior to surge.
Non-repetitive current pulse 8/20 μ s exponential decay waveform according to IEC 61000-4-5.
Measured from pin 3 to pins 1 and 2 (pins 1 and 2 are connected).
Single diode loaded.
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
Table 6.
ESD maximum ratings
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
V ESD
electrostatic discharge
IEC 61000-4-2
[1][2]
-
30
kV
voltage
(contact discharge)
machine model
MIL-STD-883
-
-
400
10
V
kV
(human body model)
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 3 to pins 1 and 2 (pins 1 and 2 are connected).
Table 7.
Standard
ESD standards compliance
Conditions
NUP1301_1
IEC 61000-4-2; level 4 (ESD)
MIL-STD-883; class 3B (human body model)
> 15 kV (air); > 8 kV (contact)
> 8 kV
? NXP B.V. 2009. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 11 May 2009
3 of 13
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RMCF2010FT7K50 | RES 7.5K OHM 1% 3/4W 2010 SMD |
| RMCF2010FT78R7 | RES 78.7 OHM 1% 3/4W 2010 SMD |
| 620102131822 | HEADER 2POS MALE R/A 2MM SMD |
| TSW-103-08-T-S-RA | CONN HEADER 3POS .100" SNGL R/A |
| PEC03SAAN | CONN HEADER .100 SINGL STR 3POS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUP1301ML3T1 | 功能描述:整流器 Low Cap. Diode Array RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| NUP1301ML3T1-D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Low Capacitance Diode Array for ESD Protection in a Single Data Line |
| NUP1301ML3T1G | 功能描述:整流器 Low Cap. Diode Array For SNGL Line w/ESD RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向电压:100 V 正向电压下降: 恢复时间:1.2 us 正向连续电流:2 A 最大浪涌电流:35 A 反向电流 IR:5 uA 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-221AC 封装:Reel |
| NUP1301U | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE ESD 0.6PF SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, 0.6PF, SOT323 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:DIODE, ESD, 0.6PF, SOT323; Diode Type:ESD Protection; Power Dissipation Pd:200mW; Clamping Voltage Vc Max:20V; Diode Case Style:SOT-323; No. of Pins:3 ;RoHS Compliant: Yes |
| NUP1301U,115 | 功能描述:ESD 抑制器 0.6 pF RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道:8 Channels 击穿电压:8 V 电容:45 pF 端接类型:SMD/SMT 封装 / 箱体:uQFN-16 功率耗散 Pd: 工作温度范围:- 40 C to + 85 C |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。